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    公开号:WO1991014740A1
    申请号:PCT/JP1991/000365
    申请日:1991-03-19
    公开日:1991-10-03
    发明作者:Tetsuo Murayama；Shuichi Maeda；Satoru Imamura；Masako Takeuchi；Takumi Nagao
    申请人:Mitsubishi Kasei Corporation；
    IPC主号:C09B69-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] 〔発明の名称〕
    [0003] 金属キレート化合物及びそれを用いた光学的記録媒体
    [0004] 〔技術分野〕
    [0005] 本発明は、 ジスァゾ化合物と金属塩との新規な金属キレート化合物及びそれを 用いた光学的記録媒体に関する。
    [0006] 〔背景技術〕
    [0007] レーザーを用いた光学記録は、 高密度の情報記録保存及び再生を可能とするた め、 近年、 特にその開発が取り進められている。
    [0008] 光学的記録媒体の一例としては、 光ディスクを挙げることができる。 一般に、 光ディスクは、 円形の基体に設けられた薄い記録層に 1 ；/ m程度に集束したレー ザ一光を照射し、 高密度の情報記録を行うものである。 その記録は、 照射された レーザー光エネルギーを吸収することによって、 その個所の記録層に、 分解、 蒸 発、 溶解等の熱的変形が生成することにより行われる。 また、 記録された情報の 再生は、 レーザ一光により変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の 差を読み取ることにより行われる。
    [0009] 従って、 記録層はレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、 レ 一ザ一吸収色素が用いられている。
    [0010] この種の光学的記録媒体としては、 種々の構成のものが知られている。 例えば 特開昭 5 5— 9 7 0 3 3号公報には、 基板上にフタ口シァニン系色素の単層を設 けたものが開示されている。 しかしながら . フタロシアニン系色素は感度が低く また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、 さらに有機溶媒に対する溶^ 性が著しく低いため塗布によるコ一テ ングに使用することができないという問 題点も有している。 o また、 特開昭 5 8— 1 1 2 7 9 0号、 同 5 8— 1 1 4 9 8 9号、 同 5 9— 8 5 7 9 1号、 同 6 0— 8 3 2 3 6号各公報等には、 シァニン系色素を記録層として 設けたものが開示されている。 しかし、 このような色素は溶解性が高く、 塗布に よるコーティ ングが可能であるという利点の反面、 耐光性が劣るという問題点を 有している。 このため、 特開昭 5 9 - 5 5 7 9 5号公報には、 このシァニン系色 素にクェンチヤ一を加えて耐光性を向上させることが検討されている力く、 まだま だ不十分なレベルである。
    [0011] これらの問題点に関して特開昭 6 2 - 3 0 0 9 0号公報には、 有機溶媒に対す る溶解性及び耐光性を改良した記録媒体として、 モノァゾ系化合物と金属との錯 体を用いた記録媒体が開示されている。 しかしながら、 これらの化合物は、 感光 波長が短く感度が劣り、 さらに高温高湿下での保存安定性が劣ることから、 光学 的記録媒体としては問題点を有していた。
    [0012] 〔発明の開示〕
    [0013] 本発明は、 下記一般式 〔 I 〕
    [0014] A- ~、-、 X
    [0015] D— N = N
    [0016] C - N = N - C ！： I
    [0017] N C
    [0018] Y
    [0019] (式中、 Dは置換基を有していてもよい芳香族残基または置換基を有していても よい複素環ァミンの残基を表し、 Aはそれが結合している炭素原子および窒素原 子と一緒になって複素環を形成する残基を表し ·、 Xはそれが結合している二つの 炭素原子と一緒になつて芳香族を形成する残基を表し、 Yは活性水素を有する基
    [0020] - ) で示されるジスァゾ化合物と金属との金属キレート化合物およびそれを用いた光 学的記録媒体に関する。
    [0021] 以下、 本発明につき、 詳細に説明する。
    [0022] 一般式 〔 I〕 において、 Aはそれが結合している炭素原子および窒素原子と一 緒になって複素環を形成する残基を表し、 例えば下記のものが挙げられる。
    [0023] N
    [0024]
    [0025] —— -s
    [0026] B f .、 zク
    [0027] 、0 、N '
    [0028] 1 5
    [0029] 、 前記式中、 環 Bはメチル基、 ェチル基、 n —プロピル基、 イ ソプロピル基、 n 一ブチル基、 t e r t 一ブチル基、 s e c 一ブチル基、 n —ペンチル基、 n —へ キシル基等の炭素数 1 〜 6のアルキル基； メ トキシ基、 エ トキシ基、 n—プロボ キシ基.， ィソプ口ポキシ基、 n—ブトキシ基、 t e r t—ブトキシ基、 s e c— ブトキシ基-, n —ペンチルォキシ基、 n—へキシルォキシ基等の炭素数 1 〜 6の アルコキシ基；又はフッ素原子、 塩素原子、 臭素原子等のハロゲン原子で置換さ れていてもよく、 R 3 は水素原子； メチル基、 ェチル基、 n—プロピル基、 イソ プロピノレ基、 n —ブチル基、 t e r tーブチゾレ基、 s e c—ブチル基、 n—ペン チル基、 n—へキシル基等の炭素数 1〜6のアルキル基； メ トキシ基、 エトキシ 基、 n—プロポキシ基、 ィソプ口ポキシ基、 n—ブトキシ基、 t e r t —ブトキ シ基、 s e c —ブトキシ基、 n—ペンチルォキシ基、 n—へキシルォキシ基等の 炭素数 1〜6のアルコキシ基； フッ素原子、 塩素原子、 臭素原子等のハロゲン原 子；又はフヱニル基、 トリル基、 キシリル基、 ナフチル基等の炭素数 6〜 1 2の ァリール基を表し、 R 1 5は水素原子又はメ チル基、 ェチル基、 η—プロピル基、 イ ソプロピル基、 η—ブチル基、 t e s t —ブチル基、 s e c 一ブチル基、 n— ペンチル基、 n—へキシル基等の炭素数 1〜 6のアルキル基を表す。
    [0030] 一般式 〔 I 〕 中、 Xは、 それが結合している 2つの炭素原子と一緒になつてべ ンゼン環、 ナフタレン環等の芳香族環を形成する残基を表す。 また、 Xは、 一 N R 1 R 2 (ここで、 R 1 及び R 2 はそれぞれ独立して水素原子； メチル基、 ェチ ル基、 n -プロピル基、 イソプロピル基、 n —ブチル基、 t e r t 一ブチル基-、 s e c—ブチル基、 n—ペンチノレ基、 n—へキシル基、 n一^ ^プチル基、 n—ォ クチル基、 n—デシル基、 n— ドデシル基、 n—ォクタデシル基等の炭素数 1 〜 2 0のアルキル基； フヱニル基、 トリル基、 キシリル基、 ナフチル基等の炭素数 6〜 1 2のァリ一ル基； ビ二ル基、 1 一プロぺニル基、 ァリル基、 イ ソブロぺ二 ル基、 1 ーブ子ニル基、 3 —ブタジェニル基、 2 —ペンテュル基等の炭素数 2〜 1 0のァルケニル基 ； 又はシクロプロピル基.、 シクロブチル基、 シクロぺン チル基、 シクロへキシル基、 シクロへプチル基、 シク αォクチル基等の炭素数 3 〜 1 0のシクロアルキル基を表す。 係る炭素数 1 〜 2 0のアルキル基、 炭素数 e 〜 1 2のァリール基、 炭素数 2〜 1 0のアルケニル基及び炭素数 3〜 1 0のシ力 δ
    [0031] 口アルキル基はメ トキシ基、 ヱ トキシ基、 η —プロポキシ基、 イ ソプロポキシ基、 η —ブ トキシ基、 t e r t—ブ トキシ基、 s e c —ブトキシ基、 n —ペンチルォ キシ基、 n —へキシルォキシ基、 n —へプチルォキシ基、 n—ォクチルォキシ基、 n—デシルォキシ基等の炭素数 1 〜 1 0のアルコキシ基 ； メ トキシメ トキシ基、 エ トキシメ トキシ基、 プロボキシメ トキシ基、 メ トキシェ トキシ基、 エ トキシェ トキシ基、 プロポキシエ トキシ基、 メ トキシプロポキシ基、 エ トキシプロポキシ 基、 メ トキシブトキシ基、 エ トキシブ トキシ基等の炭素数 2 〜 1 2のアルコキシ アルコキシ基 ； メ トキシメ トキシメ トキシ基、 メ トキシメ トキシェ トキシ基、 メ トキシェ トキシメ トキシ基、 メ トキシェ トキシェ トキシ基、 エ トキシメ トキシメ トキシ基、 エ トキシメ トキシェ トキシ基、 エ トキシエ トキシメ トキシ基、 ェ トキ シェ トキシェ トキシ基等の炭素数 3 〜 1 5のアルコキシアルコキシアルコキシ基 ； ァリルォキシ基 ； フユ二ル基、 トリル基、 キシリル基、 ナフチル基等の炭素数 6 〜 1 2のァリ一ル基 ； フヱノキシ基、 ト リルォキシ基、 キシリルォキシ基、 ナ フチルォキシ基等の炭素数 6 〜 1 2のァリールォキシ基 ； シァノ基； ニ トロ基 ： ヒ ドロキシル基 ； テ トラヒ ドロフリル基 ； メチルスルホニルァミノ基、， ェチルス ルホニルァミノ基、 n—プロピルスルホニルァ ミノ基、 イ ソプロピルスルホニル アミノ基、 n—ブチルスルホニルァ ミノ基、 t e r t —ブチルスルホニルァ ミノ 基、 s e c —ブチルスルホニルァミノ基、 n —ペンチルスルホニルァミノ基、 n —へキシルスルホニルァミノ基等の炭素数 1 〜 6のアルキルスルホニルァミノ基 ； フ ッ素原子、 塩素原子、 臭素原子等のハロゲン原子 ； メ トキシカルボニル基、 X トキシカルボ二ル基、 n —プロボキシ力ルボ二ル基、 イ ソプロポキシ力ルポ二 ル基、 n—ブ トキシカルボニル基、 t e r t —ブ トキシカルボニル基、 s e c— ブ トキシ力ルボ二ル基、 n —ペンチルォキシ力ルボ二ル基、 n —へキンルォキシ カルボニル基等の炭素数 2 〜 7 のアルコキシカルボニル基 ； メ チルカルボニルォ キシ基、 ェチルカルボニルォキシ基、 n—プロピルカルボニルォキシ基、 イソプ 口ピルカルボニルォキシ基、 n —ブチルカルボニルォキシ基、 t e r t 一ブチル カルボニルォキシ基、 s e c —ブチルカルボニルォキシ基、 n —ペンチルカルボ ニルォキシ基、 n —へキシルカルボニルォキシ基等の炭素数 2 〜 7のアルキル力 ルボニルォキシ基； メ トキシカルボニルォキシ基、 ェ トキシカルボニルォキシ基、 n —プロポキシカルボニルォキシ基、 イソプロポキシカルボニルォキシ基、 n— ブトキシカルボニルォキシ基、 t e r t —ブトキシカルボニルォキシ基、 s e c 一ブトキシカルボニルォキシ基、 η —ペンチルォキシカルボニルォキシ基、 n— へキシルォキシカルボ二ルォキシ基等の炭素数 2 〜 7のアルコキシ力ルボニルォ キシ基等の置換されていてもよい。 更に R 1 及び R z で表される炭素数 6 〜 1 2 のァリール基及び前述の炭素数 3 〜 1 0のシクロアルキル基は、 メチル基、 ェチ ル基、 n —プロピル基、 イソプロピル基、 n —ブチル基、 t e r t —ブチル基、 s e c —ブチル基、 n _ペンチル基、 η —へキシル基等炭素数 1 〜 6のアルキル 基またはビュル基で置換されていてもよい。 ） ； メチル基、 ェチル基、 η —プロ ピル基、 イソプロピル基、 η—ブチル基、 t e Γ t 一ブチル基、 s e c—ブチル 基、 n —ペンチル基、 n —へキシル基等の炭素数 1 〜 6のアルキル基； メ トキシ 基、 エ トキシ基、 n —プロポキシ基、 イソプロポキシ基、 n—ブトキシ基、 t e r t 一ブトキシ基、 s e c—ブトキシ基、 n —ペンチノレォキシ基、 n—へキシル ォキシ基等の炭素数 1 〜 6のアルコキシ基；及びフッ素原子、 塩素原子、 臭素原 子等のハロゲン原子から選ばれる 1個以上の置換基を有していてもよい。
    [0032] 一般式 ： I 〕 において、 Dとしては、 N
    [0033]
    [0034] ゴ /
    [0035]
    [0036] N
    [0037]
    [0038] Ϊ!
    [0039] 1 2 ' ヽ !i /—
    [0040] C"
    [0041] I
    [0042] R13
    [0043] 1 4
    [0044] s.
    [0045] 等の置換されていてもよい芳香族又は複素環ァ ¾ンの残基が挙げられる。 前記式 中、 環 Eの置換基あるいは置換基 R 4 、 Rs 、 R fc , R7 、 RB 、 R 9 及び R ' としては.、 メチル基、 ェチル基、 n—プロピル基、 イ ソプロピル基、 n—ブチル 基、 t e r t—ブチル基、 s e c—ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、 n—デシル基、 n— ドデシル基、 n—ォク夕 デシル基等の炭素数 1〜2 0のアルキル基；係る炭素数 1〜 2 0のアルキル基で 置換されていてもよい、 シクロプロピル基、 シクロブチル基、 シク πペンチル基、 シクロへキシル基、 シクロへプチル基、 シクロォクチル基等の炭素数 3〜 1 0の シクロアルキル基 ； メ トキシ基、 エ トキシ基、 n—プロポキシ基、 イ ソプロボキ シ基、 n—ブトキシ基、 t e r t—ブトキシ基、 s e cーブトキシ基、 n—ペン チルォキシ基、 n—へキシルォキシ基、 n—ヘプチルォキシ基、 n—ォクチルォ キシ基、 n—デシルォキシ基、 n— ドデシルォキシ基、 n—ォクタデシルォキシ 基等の炭素数 1〜2 0のアルコキシ基； ニ トロ基； シァノ基； 一 CO OR17 (こ こで R 17は、 前述の炭素数 1〜2 0のアルキル基；前述の炭素数 1〜2 0のアル キル基で置換されていてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロアルキル基；または前述 の炭素数 1〜2 0のアルキル基、 上述の炭素数 1〜 2 0のアルキル基で置換され ていてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロアルキル基；及び前述の炭素数 1〜2 0 © アルコキシ基から選ばれる 1 ¾上の置換基を有していてもよいフユ二ル基を表す。） 前述の炭素数 1〜2 0のアルキル基又は前述の炭素数 1へ 2 0のアルコキシ基で 置換されていてもよいフヱニル基； メチルスルホニル基、 ェチルスルホニル基、 n—プロピルスルホニル基、 ィ ソプロピルスルホニル基、 n 一ブチルス/'レホニル 基、 t e r I - ブチルスルホニル基、 s e cーブチルスルホニル基、， n—ペンチ ルスルホニル基、 n ^キシルスルホニル基、 n—へプチルスルホニル基、 η - ォクチルスルホ二ル基、 η -デシルスルホ二ル基等の炭素数 1〜 1 0のアルキノ! - スルホニル基； フッ素原子、 塩素原子、 臭素原子等のハロゲン原子； トリフルォ メチル基等の炭素数 1〜3のパーフルォロアルキル基等が挙げられる。 ηは 1 又は 2である。 置換基 Rリ、 RI2、 R 13及び R 14としては、 ァリル基； メ チル基 ； ェチル基、 n—プロピル基、 イソプロピル基、 n—ブチル基、 t e r t—プチ ル基、 s e c一ブチル基、 n—ペンチノレ基、 n キシル基、 n ^プチル基、 n—ォクチル基等の炭素数 1〜 8のアルキル基； メ トキシェチル基、 メ トキシプ 口ピル基、 メ トキシブチル基、 エ トキシメチル基、 エ トキシェチル基、 エ トキシ プロピル基、 エ トキシブチル基、 プロポキシメチル基、 プロボキシェチル基、 プ 口ポキシプロピル基、 プ口ポキシブチル基、 ブトキシメチル基、 ブトキシェチル 基等の炭素数 3〜8のアルコキシアルキル基； ベンジル基、 フヱネチル基、 フヱ ニルプロピル基、 ナフチルメチル基等の炭素数 7〜 1 3のァラルキル基； ヒ ドロ キシメチル基、 ヒ ドロキシェチル基、 ヒ ドロキシプロピル基、 匕 ドロキシブチル 基、 ヒ ドロキシペンチル基、 ヒ ドロキシへキシル基等の炭素数 1〜 1 0のヒ ド口 キシアルキル基； トリフルォロメチル基等の炭素数 1〜 1 3のパーフルォロアル キル基等が挙げられ、 mは o、 1又は 2である。
    [0046] 一般式 〔 I〕 において、 Yとしては、 一 0 H、 一 S H、 一 C〇 0 H、 一 S 02 Hs — S〇3 H、 — NH2 、 - HR' -B (OH) 2 、 - P 0 (OH) 2 、 一 NH CO R16、 一 NH S 02 R 16等の活性水素を有する基が挙げられる。 前記式中、 R 16はメチル基、 ェチル基、 n—プロピル基、 イ ソプロピル基、 n 一ブチル基、 t e r t—ブチル基、 s e c一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へ キシル基等の炭素数 1〜 6のアルキル基； メ トキシ基、 エ トキシ基.、 n—プロボ キシ基、 イソプロポキシ基、 n—ブトキシ基、 t e r t.—ブトキシ基、 s e c - ブトキシ基、 n —ペンチルォキシ基、 II一へキシルォキシ基等の炭素数 1〜 6の アルコキシ基； フッ素原子、 塩素原子、 臭素原子等のハ πゲン原子で置換されて いてもよいフユニル基；又はフッ素原子、 塩素原子、 臭素原子等のハロゲン原子 で置換されていてもよいメチル基、 ヱチル基、 n—プロピル基、 イ ソプロピル基 n—ブチル基、 t e r t一ブチル基、 s e c一ブチル基、 n—ペンチル基、 r!一 へキシル基等の炭素数 1〜6のアルキル基を表す。 なお、 Yが— OH、 — C〇OH、 一 S 03 Hなどのように陰イオン解離し得る 基である場合には、 金属キレ一ト化合物形成に際してはこのままの形で用いても また陽イオンとの塩の形で用いてもよい。 この陽イオンとしては、 N a + 、 L i
    [0047] K+ 等の無機系の陽イオン又は Ρ+ (く7 >) 、 ( Cz 4 )
    [0048] (C4 H9 (n) ) 4 、 (！ 「 - (CH3 ) 3 等の有機系の陽ィォ
    [0049] = ンが挙げられる。 本発明における好ましい化合物の一つの態様として、 下記一般式 〔II〕
    [0050]
    [0051] V
    [0052] in)
    [0053] (式中、 D及び Xは前記定義に同じであり、 環 Bは置換基を有していてもよい。 Υ' は一 C 0◦ Ηまたは— S 03 Ηを表す。 ） で示されるジスァゾ化合物と金属との金属キレート化合物が挙げられる。 上記 ： Π: 式における環 Βの置換基としては、 前述の炭素数 1〜2 0のアルキ ル基、 前述の炭素数 1〜20のアルコキシ基、 前述のハロゲン原子等が挙げられ
    [0054] 上記 ：11: 式で表される化合物の中でも、 更に下記一般式 〔II！〕
    [0055] V
    [0056] (111
    [0057] (式中、 D、 B、 Y' 、 R1 および R2 は前記定義に同じであり、 環 Cは置換基 を有していてもよい。 ） で示されるジスァゾ化合物と金属との一金属キレート化合物が好ましく、 特に下記 一般式 〔IV：
    [0058]
    [0059] (式中、 B、 C、 E、 Y' 、 R1 および Rz は前記定義に同じ。 ） で示されるジスァゾ化合物と金属との金属キレート化合物か一層好ましい 環 Cの置換基としては、 環 Bと同様の置換基を挙げることができる。 更に本発明における好ましい化合物の他の態様として、 下記一般式 「V
    [0060] .S. -X-
    [0061] D-N =
    [0062] … ' V (式中、 D、 X、 Yおよび R3 は前記定義と同じ。 ）
    [0063] で示されるジスァゾ化合物と金属との金属キレート化合物が挙げられる
    [0064] 上記 〔V〕 式で表される化合物の中でも、 更に下記一般式 〔VI〕
    [0065] DH -、、 if '、· ，'/ V、 ，'R1
    [0066] — = Ν - 1 C 、 N:.
    [0067] 、、R2
    [0068] R:
    [0069] COOH
    [0070] (式中、 D、 （：、 R1 、 Rz および R3 は前記定義に同じ。 ）
    [0071] で示されるジスァゾ化合物と金属との金属キレート化合物が好ましく、 特に下記 一般式 〔VII〕
    [0072] V
    [0073] ： VII
    [0074] C00H
    [0075] (式中、 C、 E：、 R1 、 R2 および R3 は前記定義に同じ。 ）
    [0076] で示されるジスァゾ化合物と金属との金属キレート化合物が一層好ましい。 本発明においてジスァゾ化合物とキレ一トを形成する金属としては、 一般に係 るジスァゾ化合物と金属キレー ト化合物を形成する能力のある金属であるならば 特に制限はされないが、 N； .. C 0、 F e、 R u、 R P d、 0 s、 】 r、 P t等の遷移元素が好ましく、 特に N iまたは C oが好ましい。
    [0077] 本発明において、 金属とキレートを形成するジスァゾ化合物の具体例として 例えば以下のものが挙げられる。 -N = K /CH;
    [0078] CH:
    [0079] ヽ
    [0080] COOH
    [0081] ん' C2H4OC2H! ——、'- ,
    [0082] ' CzH 4OC∑Η；
    [0083] 一一 COOH
    [0084] N
    [0085] CzHiiOし ζΗίΐΟし II3 CzH4OC2H4OCHs
    [0086] COOH
    [0087] _N=N， CH2COOC2H:
    [0088] N=N— 、
    [0089] 1 、 ュ、. )— ' vCH2COOC2H;
    [0090] COOH C
    [0091] CHzCOOCzH; 一一
    [0092] COOH
    [0093] 4
    [0094] COOH
    [0095] C2H4OCOCH3
    [0096] COOH
    [0097] 、J ~ =— i ~ r , ノ C 2H4 OCOCH 3
    [0098] - ~
    [0099] 、、C2H4OCOCH3 COOH
    [0100] ;Η3
    [0101] :Η0
    [0102]
    [0103] Η003
    [0104] εΗ0, , , , εΗ30
    [0105] Η003
    [0106] 9 I
    [0107] S9£00/l6df/JDd 0^1/16 Ο 、イ '
    [0108] -、
    [0109] o ' 、 o o
    [0110] o
    [0111]
    [0112] 、
    [0113] N
    [0114] 一一 HO
    [0115] 、、
    [0116] Κ·.
    [0117]
    [0118] OH
    [0119] N
    [0120]
    [0121] ： H H
    [0122] aHz30"Hz3, o, sつ.
    [0123] :HZ30"HZ3
    [0124] 一 S'
    [0125]
    [0126] 3
    [0127]
    [0128] ;HZ3
    [0129] ヽ ゝ
    [0130] 、
    [0131] 、s.' 、
    [0132] 、3N
    [0133] 6 I
    [0134] S9e00/I6df/JOd
    [0135] 0^1/16 OM N= ~ r fZ C 0C2H40CH3
    [0136] Ν=Ν·
    [0137] 'CzH40C2H40CH3
    [0138] SOs a
    [0139] 、 ■CHzCOOCz2HΠ5
    [0140] S
    [0141] 3 CHZCOOCEH:
    [0142] S03Na
    [0143]
    [0144] S03K'a
    [0145]
    [0146] S03Na
    [0147] ― '- ゝ—— N '
    [0148] C2H4OC2H:
    [0149]
    [0150] N
    [0151] S03Na
    [0152] Ν=Ν· ■CzHiOCOOCzH:
    [0153] 'ヾ、 = C2H40C00C2H
    [0154] S03Na
    [0155]
    [0156] S03Na ズ' CH:
    [0157] Ν=Ν· Ν( iへ .li CH:
    [0158] S03Na
    [0159] HsCOOC --" 一
    [0160] s o
    [0161]
    [0162] S03 a
    [0163] CH3 /CH3
    [0164] 'CH3
    [0165] S03N:a
    [0166] 'ン
    [0167] S03Na
    [0168] - JV = ;V ,c
    [0169] C2H5
    [0170] ■N=N- s
    [0171] C2H5
    [0172] CH: COOH
    [0173] C2H4OC2H: C2H4OC2H
    [0174]
    [0175] CHzCOOC2H: CH2COOC2K=
    [0176] CH: COOH
    [0177]
    [0178] N= -
    [0179] COOH
    [0180] 'CH:
    [0181] N一一
    [0182] T 、CH:
    [0183] CH; COOH
    [0184] 一. , c c c c
    [0185] Br—— '■ ；.' ~ N:N [j,
    [0186] ^=· '·'
    [0187]
    [0188] CH; COOH
    [0189] .S
    [0190] =N- ■K '
    [0191] CH; COOH 次に、 本発明のジスァゾ化合物の金属キレ一ト化合物の製造方法について説明 する。 本発明のジスァゾ化合物の金属キレート化合物は、 例えば古川の An a 〗 y t i c a C h i m i c a A c t a 1 4 0 ( 1 9 82 ) 2 8 1 - 2 8 9の記載 に準じて合成することができる。 即ち、 一般式 〔VIII〕 または一般式 〔IX〕
    [0192] D- = B 〔VIII
    [0193] リ、 // ■'7
    [0194] 、ン
    [0195] D
    [0196] 〔IX〕
    [0197] (式中、 D、 環 Bおよび R3 は前記定義に同じ） で示されるァミノ化合物を常法に従い、 ジァゾ化し、 下記一般式 〔X〕
    [0198] ■ C -: • X
    [0199] V
    [0200] (式中、 C、 Υ' 、 R' および Rz は前記定義に同じ） で示される置換ァニリン誘導体と力ップリ ングして、 前記一般式 〔III〕 又は
    [0201] 〔VI〕 で示されるジスァゾ化合物を得、 次いで上記ジスァゾ化合物と金属塩とを 水及び/又はジォキサン、 テ トラヒ ドロフラ ン、 アセ ト ン、 ェ々 ノ一ル等の有機 溶媒中で反応させることによって本発明の金属キレート化合物を製造すること力 できる。
    [0202] 該金属キレート化合物の製造に用いる金属塩の陰イオンとしては、 S CN— -、 S b F6 — 、 C £ - 、 B r - 、 F - 、 C £ 04 — 、 B F4 — 、 P F6 — 、
    [0203] //
    [0204] CH3 -.:'' '一 S 03 - 、 B- ((''' ） 4 等の一価又は二価の陰イオンが好 ましく、 特に B F4 - 、 P F6 - 、 C H3 COO" が好ましく用いられる。
    [0205] 次に本発明の光学的記録媒体について説明する。
    [0206] 本発明の光学的記録媒体は、 基本的には基板と前記ジスァゾ化合物の金属キレ 一ト化合物を舍む記録層とから構成されるものであるが、 さらに必要に応じて基 板上に下引き層を設けることができる。 また好ましい層構成としては、 記録層上 に金、 アルミニウムのような金属反射層および保護層を設けて高反射率の媒体と し、 追記型の CDメディアとすることができる。
    [0207] 本発明における基板としては、 使用するレーザ一光に対して透明又は不透明の いずれでもよい。 基板材料の材質としては、 ガラス、 プラスチック、 紙、 板状又 は箔状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、 プラスチソクが種 の点から好適に使用できる。 プラスチックとしては. アク リル樹脂、 メタク リル 樹脂、 酢酸ビュル樹脂、 塩化ビュル樹脂、 ニ トロセルロース、 ポリヱチレン樹脂、 ォ ! 1プロピレ ン樹脂、 ポリカーボネー ト樹脂、 ポリイ ミ ド樹脂、 エポキシ樹脂,， ォ 'サルホン樹脂等が挙げられるが-、 高生産性、 コス ト、 耐吸湿性の点から射出 成形型のポリカーボネート樹脂基板が特に好ましく用いられる。
    [0208] 本発明の光学的記録媒体におけるジスァゾ化合物と金属とのキレー ト化合物を 2 S
    [0209] 舍有する記録層は、 膜)!: 1 0 0 A〜5 mであることが好ましく、 更に好ましく は 1 0 0 0 A〜3 mである。
    [0210] 成膜法としては、 真空蒸着法、 スパッタリ ング法、 ドクターブレード法、 キヤ ス ト法、 スピナ一法、 浸漬法など一般に行われている薄膜形成法で成膜すること ができるが、 量産性、 コス ト面等からスピナ一法が好ましい c
    [0211] また、 必要に応じてバイ ンダーを使用することもできる。 パイ ンダ一としては、 ポリ ヒニルアルコ一ル、 ポリ ビニルピロリ ドン、 ケ ト ン樹脂-. 二 トロセルロース . 酢酸セルロース、 ポリビニルブチラ一ル、 ポリカーボネート等の既知のものが用 いられる スピナ一法による成膜の場合、 回転数は 5 0 0〜5 0 0 0 r . P . m . が好ましく、 スピンコートの後、 必要に応じて加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等 の処理を行うことができる。
    [0212] また、 記録層の安定性ゃ耐光性向上のために、 一重項酸素クェンチヤ一として 遷移金属キレー ト化合物 （例えば、 ァセチルァセ トナートキレー ト、 ビスフニ二 ルジチオール、 サリチルアルデヒ ドォキシム、 ビスジチォ一 ージケ ト ン等） を 舍有してもよく、 更に同系統の色素あるいはトリァリ一ルメタン系色素、 マゾ染 料、 シァニン系色素、 スクヮリリウム系色素、 モノァゾ化合物の金属キレー ト化 合物、 ニッケルーィ ンドアニリ ン系色素等の他系統の色素を併用することもでき る .
    [0213] ドクターブレード法、 キャス ト法、 スピナ一法、 浸漬法、 特にスピナ一法等 塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、 テトラフルォ c:プ' ノ- 'ノ一几、 ォクタフルォロペンタノ一ル、 テ トチクロロェタン、 フ"ロモホル 、 ジブロモェタン、 ジアセ トンァルコール、 ェチルセ口ソルブ、 キシレン、 3 - ヒ ド口キシ一 ί:; 一メチル一 2 —ブタノ ン、 クロ口ベンゼン、 シクロへキサノ ソ、 f! 酸メチル等の沸点 1 2 0〜 1 6 0てのものが好適に使用される この中でも、 高生産性、 コス ト、 耐吸湿性に優れる射出成型ポリカーボネー ト 樹脂基板に対しては、 該基板をおかすことなく、 好適に使用できる溶媒として、 特にジァセ ト ンアルコール、 3 —ヒ ドロキシ一 3 —メ チルー 2—ブタノ ン等のケ トンアルコール系溶媒； メチルセ口ソルブ、 ェチルセ口ソルブ等のセロソルブ系 溶媒； テ トラフルォ口プロパノール、 ォクタフルォ口ペンタノ一ル等のパーフル ォ口アルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、 ィソ酩酸メチル等のヒ ドロキシェ ステル系溶媒が挙げられる。
    [0214] 本発明の光学的記録媒体の記録層は、 基板の両面に設けてもよいし、 片面だけ に設けてもよい。
    [0215] 上記のようにして得られた記録媒体への記録は、 基体の両面または片面に設け た記録層に 1 m程度に集束したレーザ一光、 好ましくは半導体レーザ一の光を 照射することにより行う。 レーザ一光の照射された部分には、 レーザーエネルギ 一の吸収による、 分解、 蒸発、 溶融等の記録層の熱的変形が生じる。 従って、 レ —ザ一光により熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読 み取ることにより、 記録された情報の再生を行うことができる。
    [0216] なお、 本発明の光学的記録媒体の記録、 再生に使用されるレーザー光としては, N 2 、 H e— C d、 A r、 H e— N e、 ルビ一、 半導体、 色素レーザ一等が挙げ られる力 特に軽量性、 取扱いの容易さ、 コ ンパク ト性などの点から半導体レー ザ一が好適に使用される。
    [0217] 〔図面の簡単な説明〕
    [0218] 第 1図は、 実施例 1 の二ッケルキレー ト化合物の可視部吸収スぺク トルを表す 図面であり、 縦軸は吸光度、 横軸は波長 （r】 m ) を表す。
    [0219] 第 2図は、 実施例 1のニッケルキレー ト化合物の赤外吸収スぺク トルを表す図 囬である s 第 3図は、. 実施例 1の塗布膜の吸収スぺク トルを表す図面であり、 縦軸は吸先 度、 横軸は波長 （n m ) を表す。
    [0220] 第 4図は、 実施例 2で得られたニッケルキレー ト化合物の赤外吸収スぺク トル を表す図面である。
    [0221] 第 5図は、 実施例 3で得られたニッケルキレー ト化合物の赤外吸収スぺク トル を表す図面である。
    [0222] 第 6図は、 実施例 4で得られたニッケルキレー ト化合物の可視吸収スぺク トル を表す図面である。
    [0223] 第 7図は、 実施例 4で得られたニッケルキレート化合物の赤外吸収スぺク トル を表す図面である。
    [0224] 第 8図は、 実施例 6で得られたニッケルキレート化合物の赤外吸収スぺク トル を表す図面である。
    [0225] 第 9図は、 実施例 9で得られたニッケルキレー ト化合物の赤外吸収スぺク トル を表す図面である。
    [0226] 第 1 0図は、 実施例 1 3で得られたニッケルキレート化合物の可視吸収スぺク トルを表す図面である。
    [0227] 第 1 1図 、 実施例 1 3で得られたニッケルキレー ト化合物の赤外吸収スぺク トルを表す図面である。
    [0228] 第 i 2図は、 実施例 1 3の塗布膜の吸収スぺク トルを表す図面である t 〔発明を実施するための最良の形態：
    [0229] 以下実施例によりこの発明を具体的に說明するが、 かかる実施例は本発明を^ 定するものではない。
    [0230] 実施例 i
    [0231] (β 化合物製造例 下記構造式
    [0232] で表わされる 2—アミノー 6—フエ二ルペンゾチアゾール 2. 5 gをリ ン酸 1 5 m 1、 酢酸 1 5 m 1及びプロピオン酸 5 m Iの混合溶液に溶解し、 0〜一 3 °C 4 5 %ニトロシル硫酸 3. 4 gを用いジァゾ化した。
    [0233] メ タノール 1 0 O m 1に 3—ジメチルァミノ安息香酸 1. 6 5 gを溶解させた 溶液に、 得られたジァゾ液を 0〜 5 'Cの温度下で滴下し、 酢酸ナ ト リウム、 ァン モニァ水溶液等のアルカリ化合物を用いて中和し、 得られた結晶を濾別、 乾燥し て下記構造式で表わされる褐色結晶 2. 5 gを得た。 なお本化合物の最大吸収波 長 （クロ口ホルム中） は 5 9 5 n mであった。
    [0234]
    [0235] C 00 H 得られたジスァゾ化合物 0. 8 gをテ トラヒ ドロフラ ン 5 0 m iに溶解し、 4 0 十.ゥフッ化ニッケル 2. 6 gを加えた後一度濾別し、 濾液をホウフッ化ナ トリ ゥム 5 0 gを水 5 O m 1 に溶かした溶液に注ぎ、 さらに過剰の水を加えて結晶を 折出させた。 得られた結晶を濾別、 乾燥して黒色結晶のニッケルキレー ト化合物 0. 5 gを得た- 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 5 5 であ つた （第 1図参照） 。 なお、 本化合物の赤外吸収スぺク トルを第 2図に示す。
    [0236] 物性値 融 点： 2 5 0て以上
    [0237] / max = 6 5 δ n m (クロ口ホルム中）
    [0238] ε = 1 2. 1 X 1 04
    [0239] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0240] 前期製造例（a) で得たジスァゾ化合物とニッケルとのキレート化合物 0. 1 5 gをォクタフルォロペンタノール 7. 5 gに溶解し、 0. 2 2 mのフィルタ一 で濾過して溶解液を得た。 この溶液 5 m 1を深さ 7 0 O A、 幅 0. 7 の溝 （グ ループ） を有する直径 5ィツチの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、 スピナ一法により 5 0 0 r P mの面転数で塗布した。 塗布後、 6 0てで 1 0分間 乾燥した。 塗布膜の最大吸収波長は 6 3 5 nm及び 6 9 1 nmであった。
    [0241] 第 3図に塗布膜の吸収スぺク トルを示す。
    [0242] 次に塗布膜の上に、 スパッタリング法により膜)？ 2 0 0 0 Aの金の膜を成膜し、 反射層を形成した。 さらに、 この反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート した後、 紫外線を照射して硬化させ、 厚み 1 0 mの保護層を形成し、 光学的記 録媒体を製造した。
    [0243] (c) 光記録例
    [0244] 上記記録媒体を 1. 2 m/sで回転させながら、 中心波長 7 8 0 nmの半導体 レーザー光を記録パワー 7. O mWで照射し、 E FM信号を記録した。 次にこ 記録部を中心波長 7 8 0 nmの半導体レーザーを有する C Dプレーヤーで再生し たところ、 良好な再生信号を得た。
    [0245] また、 耐光性 （キセノ ンフュードメータ一加速テス ト ； 6 0時間） 及び保存安 定性 （ 7 0て、 8 5 %R H ； 5 0 0時間） 試験を行った結果、 初期と比べて感度 及び再生信号の劣化はみられず、 光学的記録媒体として極めて優れたものであ -. た。
    [0246] o
    [0247] 比較例 1
    [0248] ： ,〃 【
    [0249] 下記構造式
    [0250] N
    [0251] 一一
    [0252] .S.
    [0253] C H . 、、
    [0254] な'
    [0255]
    [0256] C 00 H で表わされるモノァゾ化合物とホウフッ化ニッケルとから得られるニッケル錯体 を用いたこと以外は実施例 1と同様にして光学的記録媒体を製造した。 感度、 保存安定性について評価、 比較したところ、 本発明の実施例 1の光学的 記録媒体と比べて、 感度、 保存安定性とも劣るものであった。 実施例 2
    [0257] (a) 化合物製造例 下記構造式
    [0258] ' V. し 4H 9 (Π)
    [0259] 1人 s ' wH<) (η)
    [0260] COOH で表わされるジスァゾ化合物 0. 3 gをテトラヒ ドロフラ ン 3 0 m l及び水 3 0 m 1の混合溶液に溶解し、 酢酸ニッケル 0. 0 8 0 gを加えた後、 室温で撹拌し た。 過剰の水を加えた後、 圻出した結晶を濾別し、 これをメタノール、 トルエン で洗浄し、 乾燥して茶色結晶のニッケルキレート化合物 0. 1 4 8 gを得た。 本 品の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 7 3 nmであった。 なお本化合物の赤 外吸収スぺク トルを第 4図に示す。
    [0261] 物性値 融 点： 2 5 O'C以上
    [0262] A max = 6 マ 3 nm (クロ口ホルム中)
    [0263] ε = 9. 7 X 1 04
    [0264] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0265] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物とニッケルとのキレー ト化合物 0. 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最大吸 収波長は、 6 5 2 nm及び 7 0 5 n mであった。
    [0266] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例 1と同様にして、 反射層、 保護層を形成して 光学的記録媒体を製造した。
    [0267] (c) 光記録例
    [0268] 上記記録媒体を 1. 2 m/sで画転させながら、 φ心波長 7 8 0 nmの半導体 レーザ一光で、 記録パワー 6. 8mWで照射し、 E FM信号を記録した。 次にこ の記録部を中心波長 7 8 0 nmの半導体レーザ一を有する C Dプレーヤ一で再生 したところ、 良好な再生信号を得た。
    [0269] また、 実施例 1と同様にして耐光性及び保存性安定性試験を行った結果、 初期 と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、 光学記録媒体として極めて優れた ものて'あった。
    [0270] 実施例 3
    [0271] (a) 化合物製造例
    [0272] 下記構造式 •3 δ
    [0273] ：.— N
    [0274] COOH で表わされるジスァゾ化合物 0. 3 0 gをテトラヒ ドロフラン 3 0 m l及び水 3 0 m 】 の混合溶液に溶解し、 酢酸ニッケル 0. 0 8 7 gを加えた後、 室温で撹拌 した。 過剰の水を加えた後折出した結晶を濾別し、 これをメタノールで洗浄し乾 燥して茶色結晶のニッケルキレート化合物 0. 2 5 3 gを得た。 化合物の最大吸 収波長 （クロ口ホルム中） は 6 5 9 nmであった。 なお本化合物の赤外吸収スぺ ク トルを第 5図に示す。
    [0275] 物性値 融 点： 2 0 3〜 2 0 4 °C (分解） .
    [0276] λ max = 6 δ 9 n m (クロロホノレム中)
    [0277] £ = ， 5 X 1 04
    [0278] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0279] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物とニッケルとのキレート化合物 0, 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1 と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最大吸 収波長は、 6 3 9 nm及び 6 9 δ n mであった。
    [0280] 次に、 この塗布膜の上に実施例 1 と同様にして反射層、 保護層を形成して光学 的記録媒体を製造した
    [0281] (c) 光記録例
    [0282] 上記記録媒体に実施例 1 と同様にして E F M信号を記録し、 再生したところ、 良好な再生信号を得た。
    [0283] また、 酎光性及び保存安定性試験も実施例 1 と同様 して行った結果.. 初期と 比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、 光学記録媒体として極めて優れたも のであった。
    [0284] 実施例 4
    [0285] (a) 化合物製造例
    [0286] 下記構造式
    [0287] 一 N = s ο
    [0288] 3
    [0289] 3
    [0290] で表わされる 2—ァミノ一 6—フエニルァゾベンゾチアゾール 2 , 5 4 gをリ ン 酸 2 5 m 1、 酢酸 3 5 m 1及びプロピオン酸 1 2, 5 m lの混合溶液に溶解し、 0〜一 3てで 4 5 %ニ トロシル硫酸 3. 3 9 gを用いてジァゾ化した。 メタノー 几 1 0 0 m 1 に 3 -ジェチルァミノ べンゼンスルホン酸ナ トリウム 3. 1 4 gを 溶解させた溶液に、 得られたジァゾ液を 0〜5。Cの温度下で滴下し、 酢酸ナ ト ゥム、 アンモニア水溶液等のアルカ リ化合物を用いて中和し、 得られた結晶を滹 別、 乾燥して下記構造式で表わされる黒紫色結晶 1. 8 4 gを得た。 なお本化合 物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 5 6 6 nmであっ
    [0291]
    [0292] 得られたジスァゾ化合物 0. 5 g、 酢酸ナ トリウム 0, 0 8 gをテトラヒ ドロフ ラン 3 0 m 1及び水 3 0 m 】 の混合溶液に溶解し、 酢酸ニッケル 0. 1 4 gを加 えた後、 室温で 2 0時間撹拌した。 これを 3 0 O m 1の水に加えた後、 折出した 結晶を濾別し、 メタノール、 水で洗浄し、 乾燥して緑茶色結晶のニッケルキレー ト化合物 0 . 2 2 gを得た。 本品の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 6 5 η mであった。
    [0293] なお、 本化合物の赤外吸収スぺク トルを第 6図に示す。
    [0294] 物性値 融 点： 2 5 O 'C以上
    [0295] λ max = 6 6 5 n m (クロ口ホルム中）
    [0296] ε = 1 . 3 0 X 1 0 5
    [0297] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0298] 前記製造例（a) で得られたジスァゾ化合物とニッケルとのキレート化合物 0 . 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最 大吸収波長は 6 4 9 II m及び 7 0 6 n mであった。
    [0299] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例 1と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光 学的記録媒体を製造した。
    [0300] (c) 光記録例
    [0301] 上記記録媒体に実施例 1と同様にして E F M信号を記録し、 再生したところ-、 良好な再生信号を得た。
    [0302] また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例 1と同様に行った結果、 初期と比べ て感度及び再生信号の劣化はみられず、 光学的記録媒体として極めて優れたもの であった c
    [0303] 実施例 5
    [0304] (a) 化合物製造例
    [0305] 実施例 4で製造したジスァゾ化合物 0 . 5 gおよび酢酸ナ トリ ウム 0 . 0 8 g をテトラヒ ド フラ ン 3 0 m l及び水 3 0 m ] の混合溶液に溶解し.、 酢酸コバ ト 0 . 1 5 gを加えた後、 室温で 2 0時間撹拌した。 これを 3 0 0 m 1の水に加 えた後、 折出した結晶を濾別し、 メタノール、 水で洗浄し、 乾燥して茶色結晶コ バルトキレート化合物 0 . 1 5 gを得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホル ム中） は 6 5 8 n mであった。
    [0306] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0307] 前記製造例（a) で得られたジスァゾ化合物とコバルトとのキレ一ト化合物 0 .. 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最 大吸収波長は 6 4 3 n m及び 6 9 9 n mであった。
    [0308] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例 1と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光 学的記録媒体を製造した。
    [0309] (c) 光記録例
    [0310] 上記記録媒体に実施例 1と同様にして E F M信号を記録し再生したところ、 良 好な再生信号を得た。
    [0311] また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例 1 と同様に行った結果、 初期に比べ て感度及び再生信号の劣化はみられず、 光学的記録媒体として極めて優れたもの めつ 7こ。
    [0312] 実施例 6
    [0313] (a) 化合物製造例
    [0314] 下記構造式
    [0315]
    [0316] S03Ka 表されるジスァゾ化合物 0 . 8 g、 酢酸ナ ト リ ウム 0 . 1 4 gをテ トラヒ ドロ フラン 2 0 m l及び水 2 0 m 1 の混合溶液に溶解し、 酢酸ニッケル 0 . 2 6 gを 加えた後、 室温で 2時間撹拌した。 折出した結晶を濾別し、 メタノール、 トルェ ンで洗浄、 乾燥して、 茶色結晶のニッケルキレート化合物 0 . 3 4 gを得た。 本 化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 5 8 n mであった。 本化合物の赤 外吸収スぺク トルを第 8図に示す。
    [0317] 物性値 融 点 ·' 2 5 0て
    [0318] X max = 6 δ 8 n m (クロロホルム中 )
    [0319] ε = 6 . 7 X 1 0 4
    [0320] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0321] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物とニッケルとのキレー ト化合物 0 . 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1 と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最大吸 収波長は 6 5 0 n m及び 7 1 3 n mであった。
    [0322] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例 1 と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光 学的記録媒体を製造した。
    [0323] (c) 光記録例
    [0324] 上記記録媒体に実施例 1 と同様にして E F M信号を記録し、 再生したところ、 良好な再生信号を得た。
    [0325] また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例 1 と同様に行った結果、 初期と比へ て感度及び再生信号の劣化はみられず、 光学記録媒体として極めて優れたも あつ'た。
    [0326] 実施例 7
    [0327] (a ) 化合物製造例
    [0328] 下記構造式
    [0329] S03 a で表されるジス 7ゾ化合物 0 . 6 6 gをメタノール 3 5 m 1に溶解し、 酢酸二ソ ケル 0 . 1 7 gを加えた後、 室温で 5時間撹拌した。 析出した結晶を濾別し、 こ れをメタノールで洗浄、 乾燥すると、 茶色結晶のニッケルキレー ト化合物 0 . 0 1 0 gを得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 5 9 n mであつ 物性値 融 点： 2 5 O 'C以上
    [0330] λ max = 6 5 9 n m (クロ口ホルム中）
    [0331] ε = 1 . 2 δ X 1 0 5
    [0332] ( ) 光学的記録媒体製造例
    [0333] 前記製造例（a) で得られたジスァゾ化合物と二ッケルとのキレー ト化合物 0 . 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1 と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最 大吸収波長 6 4 3 n m及び 7 0 4 n mであった。
    [0334] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例〗 と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光 学的記録媒体を製造した。
    [0335] (c) 光記録例
    [0336] 上記記録媒体に実施例〗 と同様にして E F M信号を記録し.、 再生したと二ろ、 良好な再生信号を得た。
    [0337] また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例 1 と同様に行った結果、 初期と]:!:ベ て感度及び再生信号 O劣化はみられず. 光学記録媒体として極めて優れたものて あった o
    [0338] 実施例 8
    [0339] (a) 化合物製造例
    [0340] 前記実施例 7で用いたジスァゾ化合物 0 . 6 6 gをメタノール 3 5 m 1に溶解 し、 酢酸コバルト 0 . 1 7 gを加えた後、 室温で 5時間撹拌した。 折出した結晶 を濾別し、 メタノールで洗浄し、 乾燥すると、 茶色結晶のコバルトキレー ト化合 物 0 . 1 4 gを得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 5 2 n m であった。
    [0341] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0342] 前記製造例（a) で得られたジスァゾ化合物のコバルトキレー ト化合物 0 . 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最大吸 収波長は 6 4 3 n m及び 6 9 2 n mであった。
    [0343] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例 1と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光 学的記録媒体を製造した。
    [0344] (c) 光記録例
    [0345] 上記記録媒体に実施例 1と同様にして E F M信号を記録し、 再生したところ、 良好な再生信号を得た。
    [0346] また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例 1 と同様に結果、 初期と比べて感度 及び再生信号の劣化はみられず、 光学記録媒体として極めて優れたものであ 実施例 9
    [0347] (a) 化合物製造例
    [0348] 下記構造式
    [0349] S03Na で表されるジスァゾ化合物 0. 3 g、 酢酸ナ トリウム 0. 048 gをテトラヒ ド 口フラン 3 0 m l、 水 3 0m lに溶解し、 酢酸二ッケル 0. 0 8 7 gを加えた後、 室温で 2 0時間撹拌した。 折出した結晶を濾別し、 これをメタノール、 水、 トル ェンで洗浄し、 乾燥して茶色結晶のニッケルキレート化合物 0. 1 6 gを得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 66 5 nmであつ 本化合物の 赤外吸収スぺク トルを第 9図に示す。
    [0350] 物性値 融 点： 25 0 'C以上
    [0351] ス max = 6 6 5 nm (ク σロホクレム中)
    [0352] ε = 1. 1 9 X 1 05
    [0353] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0354] 前記製造例 ) で得られたジスァゾ化合物のニッケルとのキレート化合物 0. 1 δ gを用いたこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最 大吸収波長は 6 4 6 nm及び 7 1 nmであった。
    [0355] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例 1と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光 学的記録媒体を製造した。
    [0356] (c) 光記録例
    [0357] 上記記録媒体に実施例 1 と同様にして EFM信号を記録し再生したところ. 良 好な再生信号を得た。 また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例] と同様に行つ た結果、 初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず.. 光学的記録媒体と て極めて優れたものであった <
    [0358] 実施例 1 0
    [0359] (a) 化合物製造例
    [0360] 下記構造式
    [0361] 一 , υ 2ί14θυ 2Π；
    [0362] I！
    [0363] //'
    [0364] C∑Η ^Ο 2Π：
    [0365] C00H で表わされるジスァゾ化合物 0. 8 gをジォキサン 5 0 m 1に溶解し、 4 0 %ホ ゥフッ化ニッケル 2. 6 gを加えた後、 濾別した。 NH4 P F 6 5 0 gを水 5 0 m 1に溶解した溶液に濾液を注ぎ、 さらに過剰の水を加えて結晶を析出させた。 得られた結晶を濾別、 乾燥して黒色結晶のニッケルキレート化合物 0. 5 5 gを 得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 4 6 nmであった。 (b) 光学的記録媒体製造例
    [0366] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物とニッケルとのキレート化合物 0. 1 5 gをテ トラフルォロプロバノール 5 gに溶解したこと以外は実施例 1 と同様にし て塗布膜を形成した。 塗布膜の最大吸収波長は 6 2 6 nm及び 6 8 2 nmであつ 次にこの塗布膜の上に、 実施例 1 と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光学 的記録媒体を製造した。
    [0367] (c) 光記録例
    [0368] 上記記録媒体に実施例 1 と同様にして E FM信号を記録し再生したところ、 良 好な再生信号を得た。 また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例 1と同様に行った結果、 初期と比ぺ て感度及び再生信号の劣化はみられず、 光学的記録媒体として極めて優れたもの
    [0369] £、あった o
    [0370] 実施例 1 1
    [0371] (a) 製造例
    [0372] 下記構造式
    [0373]
    [0374] C00H で表わされるジスァゾ化合物をァセトン 5 0 m 1に溶解し、 4 0 %ホウフッ化ニ ッケル 2. 6 gを加えた後、 濾別した。 ホウフッ化ナトリ ウム 5 0 gを氷 5 0 m 1に溶解した溶液に濾液を注ぎ、 さらに過剰の水を加えて結晶を圻出させた。 得 られた結晶を濾別、 乾燥して、 黒色結晶のニッケルキレート化合物 0. 5 gを得 た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 4 O nmであった。
    [0375] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0376] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物のニッケルキレート化合物 0. 1 5 gを ジァセ トンアルコール 5 gに溶解したこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を 形成した。 塗布膜の最大吸収波長は 6 2 1 nm及び 6 7 8 nmであった。
    [0377] (c) 光記録例
    [0378] 上記記録媒体を 4 mZsで西転させながら、 中心波長 6 3 3 11111の約1 / mの H e— N e レーザー光を記録パワー 6. O mWで照射したところ、 輪郭のはっき りしたピッ トが形成された, また、 実施例 1 と同様に耐光性及び保存安定性試験を行なった結果、 初期と比 ベて感度及び再生信号の劣化はみられず、 光学記録媒体として極めて優れたもの であった。
    [0379] 実施例 1 2
    [0380] 実施例 1〜 1 1に記載した方法に準じて表 1及び表 2に示した化合物を合成し. 金属とのキレート化合物を得た。 次いでこれらの金属キレート化合物を使用して 得た溶液を基板上に塗布して、 光学記録媒体を得た。 半導体レーザーを光源とし て書き込みを行ったところ、 いずれの媒体も感度が良好で、 耐光性、 保存安定性 にも優れていた。
    [0381] 金属キレート化合物のクロ口ホルム中での可視吸収スぺク トルの極大波長を表 1に、 また金属キレート化合物を用いた塗布膜の最大吸収波長を表 2にそれぞれ 示す。
    [0382] 699 ¾09 // ¾- ¾- / L-Zl
    [0383] £19 119 / Θ6 // // 9-Zi
    [0384] 699 '9Τ9 // (W。- IPO- // // //
    [0385] 899 ' I 9 +2〇つ SH¾ - m- // // -Zl
    [0386] 899 '829 it // // S-21
    [0387] L99 '829 // ft iFO" iFO- // Z-Zl
    [0388] ^99 "929 H- H00O- H- l-Zi
    [0389] ON
    [0390] m m ιΗ . 2H 入 a
    [0391]
    [0392] I 挲
    [0393] 917
    [0394] S9£00/I6df/IDd 0^1/16 OAV 表 1 觀
    [0395]
    [0396]
    [0397] 2 ) 金属塗布膜の最大
    [0398] D Y R2 R1
    [0399] No. イオン 2—23 J M N + U ί j U Ο υ
    [0400] W
    [0401] 12— 〃 〃 -C2H4OOOC2H5 // 627 683
    [0402] 12-25 〃 〃 -CH3 -CH3 // 638 695
    [0403] 12-25 〃 一し？H¾ Cu2+ 636 j 695
    [0404] 12-27 // 〃 - H3 Zu2+ 635 696
    [0405] ]2-28 -A-Cl 〃 〃 Ni 2+ 637, 695
    [0406] 12-29 // 〃 635, 694
    [0407] 12-30 -C2H5 -C2H5 〃 636, 695 実施例 1 3
    [0408] (a) 化合物製造例
    [0409] 下記構造式
    [0410] で表わされる 2—アミノー 4—メチルー 5—フヱニルァゾチアゾール 2 . 1 8 g をリン酸 3 0 m 1、 酢酸 6 0 m 1及びプロピオン酸 5 m 1の混合溶液に溶解し、 0〜一 5 'Cで 4 5 %ニトロシル硫酸 3 . 3 8 gを用いてジァゾ化した。 メタノー ル 1 0 0 m 1に 3—ジメチルァミノ安息香酸 1 . 6 5 gを溶解させた溶液に、 得 られたジァゾ液を 0〜5ての温度下で滴下し、 酢酸ナトリウム、 アンモニア水溶 液等のアルカリ化合物を用いて中和し、 得られた結晶を濾別、 乾燥して下記構造 式で表わされる黒褐色結晶 1 . 7 5 gを得た。 なお本化合物の最大吸収波長 （ク ロロホルム中） は 6 2 3 n mであった。
    [0411]
    [0412] COOH 得られたジスァゾ化合物 1 . O gをテトラヒドロフラン 5 0 m 1に溶解し、 4 0 %ホウフッ化ニッケル 3 . 6 gを加えた後一度濾別し、 濾液をホウフッ化ナト リウム 5 0 gを水 5 0 m 1に溶かした溶液に注ぎ、 さらに過剰の水を加えて結晶 を折出させた。 得られた結晶を濾別し、 乾燥して黒色結晶のニッケルキレー ト化 合物 0. 2 gを得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 5 0 nm であった （第 1 0図参照） 。
    [0413] また、 本化合物の赤外吸収スぺク トルを第 1 1図に示す。
    [0414] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0415] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物のとニッケルとのキレート化合物 0. 1 5 gを用いたこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最大 吸収波長は 6 6 0 nm及び 7 1 5 nmであった。 第 1 2図に塗布膜の吸収スぺク トルを示す。
    [0416] (c) 光記録例
    [0417] 上記光学的記録媒体を 1. 2 m/sで画転させながら、 中心波長 7 8 0 nmの 半導体レーザー光で、 記録パワー 7. O mWで照射したところ、 明瞭なピッ トが 形成された。
    [0418] また、 実施例 1と同様にして耐光性及び保存安定性試験を行った結果、 初期と 比べて感度及び再生信号の劣化は見られず、 光学的記録媒体として極めて優れた ものであった。
    [0419] 実施例 1 4
    [0420] (a) 化合物製造例
    [0421] 下記構造式
    [0422] υ2Ηΐ) OC2H 5
    [0423] C00H で表わされるジスァゾ化合物 1. 0 gをジォキサン 5 O m 1に溶解し、 40 %ホ ゥフッ化ニッケル 3. 6 gを加えた後、 濾別した。 NH4 P F6 50 gを水 50 m 1に溶解した溶液に濾液を注ぎ、 さらに過剰の水を加えて結晶を圻出させた。 得られた結晶を濾別、 乾燥して黒色結晶のニッケルキレート化合物 0. 3 δ gを 得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 64 2 nmであった。
    [0424] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0425] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物とニッケルとのキレート化合物 0. 1 5 gをテトラフルォロプロパノール 5 gに溶解したこと以外は実施例 1と同様にし て塗布膜を形成した。 塗布膜の最大吸収波長は 64 5 nm及び 700 nmであつ た。
    [0426] 次に、 この塗布膜の上に、 実施例 1と同様にして反射層、 保護層を形成し、 光 学的記録媒体を製造した。
    [0427] (c) 光記録例
    [0428] 上記記録媒体に実施例 1と同様にして EFM信号を記録し再生したところ、 良 好な再生信号を得た。
    [0429] また、 耐光性及び保存安定性試験も実施例 1と同様に行った結果、 初期と比べ て感度及び再生信号の劣化は見られず、 光学的記録媒体として極めて優れたもの であった。
    [0430] 実施例 1 5
    [0431] (a) 製造例
    [0432] 下記構造例 OOCzH;
    [0433]
    [0434] C00H で表わされるジスァゾ化合物 1 , 0 gをアセ トン 5 O m 1に溶解し、 4 0 %ホ^ フッ化ニッケル 3. 6 gを加えた後、 濾別した。 ホウフッ化ナ トリウム 5 0 を 水 5 O m 1に溶解させた溶液に瀘液を注ぎ、 さらに過剰の水を加えて結晶を折出 させた。 得られた結晶を濾別、 乾燥して黒色結晶のニッケルキレート化合物 0. 3 gを得た。 本化合物の最大吸収波長 （クロ口ホルム中） は 6 4 0 II mであった。
    [0435] (b) 光学的記録媒体製造例
    [0436] 前記製造例（a) で得たジスァゾ化合物とニッケルとのキレート化合物 0. 1 5 をジァセトンアルコール 5 gに溶解したこと及びスピナ一法の回転数を 7 0 0 r p mとしたこと以外は実施例 1と同様にして塗布膜を形成した。 塗布膜の最大吸 収波長は 6 5 0 nm及び 7 0 3 nmであった。
    [0437] (c) 光記録例
    [0438] 上記記録媒体を実施例 1 1と同様に 4 m/sで回転させながら、 中心波長 6 3 3 nmの役 1 mの H e一 N e レーザー光を記録パワー 6. O mWで照射したと ころ、 輪郭のはっきりしたピッ トが形成された。
    [0439] また、 実施例 1 と同様に耐光性及び保存安定性試験を行った結果、 初期と比べ て感度及び再生信号の劣化は見られず、 光学的記録媒体として極めて優れたもの であった。
    [0440] 実施例 1 6
    [0441] 実施例 1 3〜 1 5に記載した方法に準じて表 3に示した化合物を合成し、 金属 とのキレ一ト化合物を得た。 次いでこれらの金属キレ一ト化合物を使用して得た 溶液を基板上に塗布して、 光学記録媒体を得た。 半導体レーザーを光源として書 き込みを行ったところ、 いずれの媒体も感度が良好で、 耐光性、 保存安定性にも 優れていた。
    [0442] 金属キレート化合物を用いた塗布膜の最大吸収波長を表 3に示す。
    [0443] また、 前記実施例で用いた化合物の他、 本発明の光学的記録媒体に好適に使用 されるジスァゾ化合物の金属との金属キレート化合物の具体例は表 4の通りであ る。
    [0444] 表 3
    [0445] 表 3 )
    [0446] 表 4
    [0447]
    [0448] 表 4 (続き）
    [0449] ジ ス ァ ゾ 化 合 物 鍋イオン
    [0450] Ni
    [0451] l画
    [0452] c
    [0453] H
    [0454] H
    [0455]
    [0456] 、 /T /CZH 4 (続き)
    [0457]
    [0458] ； 02N、 S
    [0459] Π 、、 、， 、， メ '、 ^ _ ΛΙΤ
    [0460] ； 丫 JS ' 、CH3 ： COOH 表 4 (続き）
    [0461] 表 4 (続き）
    [0462] 表 4 (続き）
    [0463]
    [0464] 表 4 (続き）
    [0465] 表 4 (続き）
    [0466] 袠 4 (続き）
    [0467] 表 4 (続き）
    [0468] W
    [0469] 6 8 表 4 (続き）
    [0470]
    [0471]
    权利要求:
    Claims 求 囲
    1 . 下記一般式 〔 I〕
    き n青
    (式中、 Aはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になつて複素環を の 6
    9
    形成する残基を表し、 Xはそれが結合している二つの炭素原子と一緒になつて芳 香族を形成する残基を表し、 Dは置換基を有していてもよい芳香族残基また置換 基を有していてもよい複素環ァミンの残基を表し、 Yは活性水素を有する基を表 す。 ） で示されるジスァゾ化合物と金属との金属キレート化合物。
    2 . 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 一般式 〔 I 〕 にお ける残基 Aが、 下記式
    R15
    R
    (各式中、 環 Bは炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基又は ハロゲン原子で置換されていてもよく、 R3 は水素原子、 炭素数 1〜6のアルキ ル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基、 ハロゲン原子又は炭素数 6〜 1 2のァリー ル基を表わし、 R 15は水素原子又は炭素数 1〜6のアルキル基を表す。 ） で示される残基よりなる群から選ばれたものであることを特徴とする金属キレー ト化合物。
    3. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 一般式 〔 I〕 にお ける残基 X力 - R1 R2 (式中、 R1 及び R2 はそれぞれ独立して、 水素原 子、 置換基を有していてもよい炭素数 1〜2 0のアルキル基、 置換基を有してい てもよい炭素数 6〜 1 2のァリール基、 置換基を有していてもよい炭素数 2〜 1 0のアルケニル基又は置換基を有していてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロアルキ ル基を表す。 ） 、 炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基及び ハロゲン原子から選ばれる 1個以上の置換基を有していることを特徴とする金属 キレート化合物。
    4. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 一般式 〔 I〕 にお ける残基 Dが、 下記式
    (R9)n
    〔各式中、 環 Eは置換基を有していてもよく、 環 Eの置換基、 R4 、 R5 、 R6 、 R7 、 R8 、 R9 及び R'°はそれぞれ独立して、 炭素数 1〜20のアルキル基、 炭素数 1〜2 0のアルキル基で置換されていてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロア ルキル基、 炭素数 1〜20のアルコキシ基、 二トロ基、 シァノ基、 一 CO OR'7
    (式中、 R17は炭素数 1〜20のアルキル基、 置換基を有していてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいフユ二ル基を表す。 ） 炭素数 1〜 2 0のアルキル基又は炭素数 1〜 20のアルコキシ基で置換されてい てもよぃフヱニル基、 炭素数 1〜 1 0のアルキルスルホニル基、 ハロゲン原子又 は炭素数 1〜3のパ一フルォロアルキル基を表し、 nは 1又は 2であり、 mは 1、 2又は 3である。 ：！
    で示される残基よりなる群から選ばれたものであることを特徴とする金属キレー ト化合物。
    5. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 一般式 〔 I〕 にお ける置換基 Yが、 一 ΟΗ、 一 S H、 一COOH、 - S 02 H、 - S 03 H、 -N H2 、 — B (OH) 2、 -P 0 (OH) 2、 一 NHRl6、 —NH COR 16及び一 N H S 02 R16 (各式中、 R16は、 炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6の アルコキシ基、 ハ口ゲン原子で置換されていてもよぃフヱニル基又はハ口ゲン原 子で置換されていてもよい炭素数 1〜6のアルキル基を表す。 ）
    よりなる群から選ばれたもの又はその塩であることを特徴とする金属キレート化 合物。
    6. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 ジスァゾ化合物が 下記一般式 〔II〕
    〔π〕
    (式中、 環 Bは炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基又はハ ロゲン原子で置換されていてもよく、 Xはそれが結合している二つの炭素原子と 一緒になつて芳香族を形成する残基を表し、 Dは置換基を有していてもよい芳香 族残基または置換基を有していてもよい複素環ァミ ンの残基を表し、 Y' は一 C 00H、 -S 03 H又はこれらの塩を表す。 ）
    で示されるジスァゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物。
    7. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 ジスァゾ化合物が 下記一般式 〔III〕
    … 〔III〕
    (式中、 環 Bは炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基又はハ ロゲン原子で置換されていてもよく、 Dは置換基を有していてもよい芳香族残基 または置換基を有していてもよい複素環ァミ ンの残基を表し、 Y' は一 COOH、 — S 03 H又はこれらの塩を表し、 R1 及び R2 はそれぞれ独立して、 水素原子 、 置換基を有していてもよい炭素数 1〜2 0のアルキル基、 置換基を有していて もよい炭素数 6〜 1 2のァリール基、 置換基を有していてもよい炭素数 2〜 1 0 のアルケニル基又は置換基を有していてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロアルキル 基を表し、 環 Cは置換を有していてもよい。 ）
    で示されるジスァゾ化合物であることを特徴とする金属キレ一ト化合物。
    8. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 ジスァゾ化合物が 下記一般式 〔IV〕
    〔IV〕 (式中、 環 Bは炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基又はハ ロゲン原子で置換されていてもよく、 Y' は—COOH、 -S 03 H又はこれら の塩を表し、 R1 及び Rz はそれぞれ独立して、 水素原子、 置換基を有していて もよい炭素数 1〜2 0のアルキル基、 置換基を有していてもよい炭素数 6〜 1 2 のァリール基、 置換基を有していてもよい炭素数 2〜1 0のアルケニル基又は置 換基に有していてもよい炭素数 3〜1 0のシクロアルキル基を表し、 環 Cおよび 環 Eはそれぞれ置換基を有していてもよい。 ）
    で示されるジスァゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物。
    9. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 ジスァゾ化合物 が下記一般式 〔 V〕
    〔V
    (式中、 Xはそれが結合している二つの炭素原子と一緒になつて芳香族を形成す る残基を表し、 Dは置換基を有していてもよい芳香族残基または置換基を有して いてもよい複素環ァミ ンの残基を表し、 Yは、 活性水素を有する基又はその塩を 表し、 R3 は水素原子、 炭素 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基 、 ハロゲン原子又は炭素数 6〜 1 2のァリール基を表わす。 ）
    で示されるジスァゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物。
    1 0. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 ジスァゾ化合物 が下記一般式 〔VI〕 7 δ
    〔VI〕
    C00H
    (式中、 Dは置換基を有しいてもよい芳香族残基または置換基を有していてもよ ぃ複素環ァミ ンの残基を表し、 R1 及び R2 はそれぞれ独立して、 水素原子、 置 換基を有していてもよい炭素数 1〜2 0のアルキル基、 置換基を有していてもよ い炭素数 6〜1 2のァリール基、 置換基を有していてもよい炭素数 2〜 1 0のァ ルケニル基又は置換基を有していてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロアルキルを表 し、 R3 は水素原子、 炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基、 ハロゲン原子又は炭素数 6〜1 2のァリール基を表し、 環 Cは置換基を有してい てもよい。 ） で示されるジスァゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物。
    1 1. 請求の範囲第 1項記載の金属キレート化合物において、 ジスァゾ化合物 が下記一般式 〔VII〕
    E 、' N=N // V 1
    C 〔VII〕
    X D2
    ' 、Ν'
    C00H
    (式中、 R1 及び!？2 はそれぞれ独立して、 水素原子、 置換基を有していてもよ い炭素数 1〜2 0のアルキル基、 置換基を有していてもよい炭素数 6〜 1 2のァ リール酸、 置換基を有していてもよい炭素数 2〜1 0のアルケニル基又は置換基 を有していてもよい炭素数 3〜 1 0のシクロアルキル基を表し、 R 3 は水素原子 、 炭素数 1〜6のアルキル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基、 ハロゲン原子又は 炭素数 6〜 1 2のァリール基を表し、 環 Cおよび環 Eはそれぞれ置換基を有して いてもよい。 ）
    で示されるジスァゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物。
    1 2 . 基板上にレーザ一による情報の書き込み及び Z又は読み取りが可能な記 録層が設けられた光学的記録媒体において、 該記録層が請求の範西第 1項ないし 第 1 1項のいずれか 1項に記載されているジスァゾ化合物と金属とのキレ一ト化 合物を舍有することを特徴とする光学的記録媒体。
    1 3 . 請求の範囲第 1 2項に記載されている光学的記録媒体において、 金属が 遷移元素であることを特徴とする光学的記録媒体。
    1 4 . 請求の範囲第 1 3項に記載されている光学的記録媒体において、 金属が コバルト又はニッケルであることを特徴とする光学的記録媒体。
    1 5 . 請求の範囲第 1 2項ないし第 1 4項のいずれか 1項に記載されている光 学的記録媒体において、 記録層上に金属に反射層および保護層を設けたことを特 徴とする光学的記録媒体。
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    EP0477373A4|1992-09-09|
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    EP0477373B1|1997-11-05|
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    1991-10-03| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): CA JP KR US |
    1991-10-03| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IT LU NL SE |
    1991-11-14| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1991906195 Country of ref document: EP |
    1991-11-18| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 2057864 Country of ref document: CA |
    1992-04-01| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1991906195 Country of ref document: EP |
    1997-11-05| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1991906195 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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    JP6896790||1990-03-19||
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    JP26362790||1990-10-01||
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